奥寺 凜太郎

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微弱な電圧の整流には、低損失なダイオードが求められますが、シリコン(Si)を用いたpnダイオードのオン電圧は0.7Vであるため適していません。GaNを用いることで低損失なトランジスタ(p型GaN HEMT)が作製できます。また、p型GaN HEMTのゲート電極とチャネルの一方の電極を接続することでダイオードを構成することができます。 私は、整流効率の高いダイオードの実現に向けデバイスシミュレータを用いて、p型GaN HEMTとダイオードの特性解析を行いました。その結果、実際の素子特性を再現し、電流機構を明らかにしました。

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【概要: 学生寮で新入生のサポートを行い、サポートした学生が優秀な成績を納めることができました】 　私の大学では、1年生が全員寮生活をし、留年率が約25%と高い環境でした。 私は工業高校出身で理数科目の基礎が不足していたため、大学初年度は非常に苦労しました。しかし、上級生のサポートを受け、進級できた経験から、私も後輩の力になりたいと強く感じました。　 　サポート役は30人程度おり、生活と学習担当に分かれ7-8人の１年生を担当します。特に私は生活サポート担当でしたが、学習サポート担当者と緊密に連携し、新入生たちが勉強の習慣を身に付け、質問しやすい環境を整えるために尽力しました。コロナ禍においては、オンラインツールを活用して、勉強会や質問会を開催し、平時と同様のサポートができるよう努めました。 　その結果、私が担当した1年生たちは優秀な成績を収めることができ、彼らの中には次年度のサポート役に立候補する者も出ました。この経験から、自ら主体的に行動し、周囲を巻き込んで目標を達成するためのリーダーシップとコミュニケーション能力を大きく養うことができました。 　これらのスキルは、モノづくりにおいてチームワークやプロジェクト遂行においても大いに役立つと確信しています。